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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 3.29 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1198901 | Samacsys Pin Count： | 6 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (6-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | 6-Pin SOT-363 | Samacsys Released Date： | 2019-07-04 16:31:39 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.38 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDG327N | FAIRCHILD |
类似代替  |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDG315N | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDG311N | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDG327NZ_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrenchO MOSFET |
|
| FDG327NZ_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDG327NZ-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDG328P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| FDG328P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，2.5V，指定 PowerTrench® MOSFET，-20 V，-1.5 A |
|
| FDG329N | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDG329N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FDG329ND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDG330P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| FDG330P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-12 V，-2 A，1 |
|
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