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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 3.39 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.0026 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 115 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDG361N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel 100V Specified PowerTrenchMOSFET |
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| FDG361N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDG361ND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDG3BJ106K++4KD5 | AISHI |
获取价格 |
Film DC-Link |
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| FDG3BJ306M++4MD5 | AISHI |
获取价格 |
Film DC-Link |
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| FDG3BJ356M++4MD5 | AISHI |
获取价格 |
Film DC-Link |
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| FDG3BK105G++2GL5 | AISHI |
获取价格 |
Film DC-Link |
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| FDG3BK106K++4KB5 | AISHI |
获取价格 |
Film DC-Link |
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| FDG3BK205G++2GL5 | AISHI |
获取价格 |
Film DC-Link |
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| FDG3BK206M++4MD5 | AISHI |
获取价格 |
Film DC-Link |
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