5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDG361N
FDG361N PDF预览

FDG361N

更新时间： 2024-11-05 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 82K
描述
N-Channel 100V Specified PowerTrenchMOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDG361N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SC-70, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：0.6 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：420 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDG361N 数据手册

 浏览型号FDG361N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDG361N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDG361N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDG361N的Datasheet PDF文件第5页 
August 2001  
FDG361N  
N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
• 0.6 A, 100 V.  
RDS(ON)= 500 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON)= 550 mΩ @ VGS = 6.0 V  
These N-Channel 100V specified MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain low  
gate charge for superior switching performance.  
• Low gate charge (3.7nC typical)  
• Fast switching speed  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in  
applications where the bigger more expensive SO-8  
and TSSOP-8 packages are impractical.  
a very small footprint for  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• Load switch  
• Battery protection  
• Power management  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
Pin 1  
D
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
100  
Units  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
0.6  
2.0  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.42  
PD  
W
0.38  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
300  
333  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.61  
FDG361N  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDG361N Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

中文翻译

下载PDF

与FDG361N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDG361N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDG361ND87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDG3BJ106K++4KD5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link
FDG3BJ306M++4MD5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link
FDG3BJ356M++4MD5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link
FDG3BK105G++2GL5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link
FDG3BK106K++4KB5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link
FDG3BK205G++2GL5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link
FDG3BK206M++4MD5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link
FDG3BK225G++2GL5 AISHI

获取价格

 		Film DC-Link

与FDG361N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证