5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDG327NZ-G
FDG327NZ-G PDF预览

FDG327NZ-G

更新时间： 2024-11-18 21:21:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 492K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDG327NZ-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.42 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FDG327NZ-G 数据手册

 浏览型号FDG327NZ-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDG327NZ-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDG327NZ-G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDG327NZ-G的Datasheet PDF文件第5页 
August 2008  
FDG327NZ  
20V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized use  
in small switching regulators, providing an extremely  
low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.  
·
1.5 A, 20 V.  
RDS(ON) = 90 mW @ VGS = 4.5 V.  
RDS(ON) = 100 mW @ VGS = 2.5 V  
RDS(ON) = 140 mW @ VGS = 1.8 V  
·
·
·
Fast switching speed  
Low gate charge  
Applications  
·
·
·
DC/DC converter  
Power management  
Load switch  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
High power and current handling capability.  
S
D
D
G
D
Pin 1  
D
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 8  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
1.5  
A
6
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.42  
W
°C  
0.38  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
300  
333  
RqJA  
°C/W  
RqJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.37  
FDG327NZ  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDG327NZ Rev C1(W)  
Ó2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

中文翻译

下载PDF

与FDG327NZ-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDG328P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDG328P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，2.5V，指定 PowerTrench® MOSFET，-20 V，-1.5 A
FDG329N FAIRCHILD

获取价格

 		20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDG329N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDG329ND87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDG330P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDG330P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-12 V，-2 A，1
FDG330P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDG330PREEL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDG332PZ FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -2.6A, 97

与FDG327NZ-G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证