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FDG330PREEL

更新时间： 2024-11-21 21:19:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 150K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 6 PIN

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FDG330PREEL 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDG330PREEL 数据手册

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December 2001  
FDG330P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
It has been optimized for battery power management  
applications.  
• –2 A, –12 V.  
RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = –2.5 V  
DS(ON) = 215 mΩ @ VGS = –1.8 V  
R
• Low gate charge  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Battery management  
• Load switch  
• Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package  
S
1
6
5
4
D
D
2
3
G
D
Pin 1  
D
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–12  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
8
–2  
–6  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.75  
0.48  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Note 1b)  
260  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.30  
FDG330P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDG330P Rev D (W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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