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FDG311N

更新时间： 2024-11-29 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 90K
描述
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDG311N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.33
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDG311N 数据手册

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February 2000  
FDG311N  
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor's advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance. These devices are  
well suited for portable electronics applications.  
• 1.9 A, 20 V. RDS(ON) = 0.115 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 0.150 Ω @ VGS = 2.5 V.  
• Low gate charge (3nC typical).  
• High performance trench technology for extremely low  
Applications  
RDS(ON)  
.
• Load switch  
• Power management  
• DC/DC converter  
• Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package.  
S
D
1
6
5
4
D
2
3
G
D
D
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
±
VGSS  
ID  
8
V
A
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
1.9  
6
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
Power Dissipation for Single Operation  
0.75  
0.48  
W
°
C
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
Thermal Characteristics  
(Note 1b)  
°
C/W  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
260  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDG311N  
7
8mm  
3000 units  
.
11  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDG311N Rev. D  
12345

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FDG311N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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