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FDG311N_NL

更新时间： 2024-09-15 20:05:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 89K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 6 PIN

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FDG311N_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDG311N_NL 数据手册

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February 2000  
FDG311N  
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor's advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance. These devices are  
well suited for portable electronics applications.  
• 1.9 A, 20 V. RDS(ON) = 0.115 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 0.150 Ω @ VGS = 2.5 V.  
• Low gate charge (3nC typical).  
• High performance trench technology for extremely low  
Applications  
RDS(ON)  
.
• Load switch  
• Power management  
• DC/DC converter  
• Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package.  
S
D
1
6
5
4
D
2
3
G
D
D
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
±
VGSS  
ID  
8
V
A
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
1.9  
6
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
Power Dissipation for Single Operation  
0.75  
0.48  
W
°
C
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
Thermal Characteristics  
(Note 1b)  
°
C/W  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
260  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDG311N  
7
8mm  
3000 units  
.
11  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDG311N Rev. D  
12345

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FDG311N_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDG329N FAIRCHILD

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 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
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 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
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 N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与FDG311N_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDG311ND87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
FDG312P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-1.2 A，180 m
FDG312P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDG313N FAIRCHILD

获取价格

 		Digital FET, N-Channel
FDG313N ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，数字 FET，25V，0.95A，0.45Ω
FDG313N_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
FDG313ND87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Digital FET, P-Channel
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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