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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.39 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDG313N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, N-Channel |
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| FDG313N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，数字 FET，25V，0.95A，0.45Ω |
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| FDG313N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FDG313ND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDG314P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, P-Channel |
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| FDG314PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDG315 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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| FDG315N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDG315N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30 V，2 A，120 mΩ |
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| FDG315N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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