FDG313N

更新时间： 2024-11-17 22:31:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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8页	714K
描述
Digital FET, N-Channel

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FDG313N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.31
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.65 A	最大漏极电流 (ID)：	0.95 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDG313N 数据手册

July 2000

FDG313N

Digital FET, N-Channel

General Description

Features

This N-Channel enhancement mode field effect

transistor is produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state

resistance. This device has been designed especially

for low voltage applications as a replacement for

bipolar digital transistor and small signal MOSFET.

• 0.95 A, 25 V. R_DS(on)= 0.45 Ω @ V_GS= 4.5 V

R_DS(on)= 0.60 Ω @ V_GS= 2.7 V.

• Low gate charge (1.64 nC typical)

• Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3V circuits (V_GS(th)< 1.5V).

Applications

• Load switch

• Gate-Source Zener for ESD ruggedness

(>6kV Human Body Model).

• Battery protection

• Power management

• Compact industry standard SC70-6 surface mount

package.

SC70-6

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DSS

Parameter

FDG313N

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

(Note 1a)

I_D

Drain Current - Continuous

- Pulsed

0.95

P_D

Power Dissipation for Single Operation

0.75

0.55

(Note 1b)

(Note 1c)

0.48

T_J, T_stg

ESD

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D

Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)

Thermal Characteristics

(Note 1c)

θ^JA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

260

C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

3000 units

FDG313N

7’’

8mm

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

FDG313N Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FDG314P	FAIRCHILD	获取价格	Digital FET, P-Channel
FDG314PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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