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FDG314P

更新时间： 2024-11-17 22:31:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	85K
描述
Digital FET, P-Channel

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FDG314P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SC-70, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.65 A	最大漏极电流 (ID)：	0.65 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDG314P 数据手册

July 2000

FDG314P

Digital FET, P-Channel

General Description

Features

This P-Channel enhancement mode field effect

transistor is produced using Fairchild Semiconductor’s

proprietary, high cell density, DMOS technology. This

very high density process is tailored to minimize on-

state resistance at low gate drive conditions. This

device is designed especially for battery power

applications such as notebook computers and cellular

phones. This device has excellent on-state resistance

even at gate drive voltages as low as 2.5 volts.

• -0.65 A, -25 V. R_DS(ON)= 1.1 Ω @ V_GS= -4.5 V

R_DS(ON)= 1.5 Ω @ V_GS= -2.7 V.

• Very low gate drive requirements allowing direct

operation in 3V cirucuits (V_GS(th)<1.5 V).

• Gate-Source Zener for ESD ruggedness

(>6 kV Human Body Model).

• Compact industry standard SC70-6 surface mount

package.

Applications

• Power Management

• Load switch

• Signal switch

SC70-6

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

-25

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±8

(Note 1a)

-0.65

-1.8

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.75

0.48

T_J, T_stg

ESD

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D

Human Body Model (100pf/1500 Ohm)

6.0

Thermal Characteristics

R_θ_JA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1b)

260

C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDG314P

7’’

8mm

3000 units

2000 Fairchild Semiconductor International

FDG314P Rev.C

12 3 4 5

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与FDG314P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDG314PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDG315	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG315N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG315N	ONSEMI	获取价格	N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30 V，2 A，120 mΩ
FDG315N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDG315ND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDG316P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG316P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30 V，-1.6 A，19
FDG316P_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDG316PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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