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FDG315N

更新时间： 2024-09-17 11:15:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30 V，2 A，120 mΩ

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FDG315N 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.98
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDG315N 数据手册

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MOSFET– N-Channel, Logic  
Level, POWERTRENCH)  
FDG315N  
General Description  
This N−Channel Logic Level MOSFET is produced using  
ON Semiconductor’s advanced POWERTRENCH process that has  
been especially tailored to minimize on−state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
These devices are well suited for low voltage and battery powered  
applications where low in−line power loss and fast switching are  
required.  
www.onsemi.com  
S
D
D
G
D
D
Features  
SC−88/SC70−6/SOT−363  
CASE 419B−02  
• 2 A, 30 V  
♦ R  
♦ R  
= 0.12 W @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
= 0.16 W @ V = 4.5 V  
DS(ON)  
GS  
MARKING DIAGRAM  
• Low Gate Charge (2.1 nC Typical)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• Compact Industry Standard SC70−6 Surface Mount Package  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
DS(ON)  
15M  
Applications  
15  
M
= Specific Device Code  
= Assembly Operation Month  
• DC/DC Converter  
• Load Switch  
• Power Management  
PIN CONNECTIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
1
6
5
4
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
DSS  
V
GSS  
30  
20  
2
V
V
A
2
3
Gate−Source Voltage  
I
D
Drain Current  
Continuous  
(Note 1a)  
Pulsed  
6
0.75  
P
Power Dissipation for  
Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
0.48  
T , T  
J
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1b)  
260  
_C/W  
q
JA  
1. R  
is the sum of the junction−to−case and case−to−ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder  
q
JA  
mounting surface of the drain pins. R  
is guaranteed by design while R  
is determined by the user’s board design.  
q
q
JC  
CA  
2
a) 170°C/W when mounted on a 1 in pad of 2 oz copper.  
b) 260°C/W when mounted on a minimum pad.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
FDG315N/D  
June, 2020 − Rev. 3  
 
1234567

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