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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDG315N_NL
FDG315N_NL PDF预览

FDG315N_NL

更新时间： 2024-11-18 13:02:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 82K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 6 PIN

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FDG315N_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDG315N_NL 数据手册

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July 2000  
FDG315N  
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 2 A, 30 V. RDS(ON) = 0.12 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Low gate charge (2.1nC typical).  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
.
• Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package.  
Applications  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Power Management  
S
D
1
6
5
4
D
2
3
G
D
D
SC70-6  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
V
V
A
±
Gate-Source Voltage  
20  
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
2
6
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
Power Dissipation for Single Operation  
0.75  
0.48  
W
°
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
260  
C
Thermal Characteristics  
°
θ
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1b)  
C/W  
JA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDG315N  
7’’  
8mm  
3000 units  
15  
.
2000 Fairchild Semiconductor International  
FDG315N Rev. C  
12345

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