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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDG326P
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FDG326P

更新时间： 2024-11-17 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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FDG326P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SC-70, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDG326P 数据手册

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January 2001  
FDG326P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
It has been optimized for battery power management  
applications.  
• –1.5 A, –20 V.  
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = –2.5 V  
DS(ON) = 250 mΩ @ VGS = –1.8 V  
R
• Low gate charge  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
• Battery management  
• Load switch  
low RDS(ON)  
• Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package  
1
6
5
4
2
3
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
± 8  
–1.5  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–6  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.75  
W
0.48  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Note 1b)  
260  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.26  
FDG326P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDG326P Rev D(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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