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FDG327N PDF预览

FDG327N

更新时间： 2024-11-19 11:15:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 310K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，1.5 A，90 mΩ

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FDG327N 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.97
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.38 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDG327N 数据手册

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MOSFET– N-Channel,  
POWERTRENCH)  
20 V  
FDG327N  
General Description  
www.onsemi.com  
This N−Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using either  
synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been  
optimized use in small switching regulators, providing an extremely  
S
D
D
low R  
and gate charge (Q ) in a small package.  
G
D
DS(ON)  
G
D
Pin 1  
Features  
SC−88/SC70−6/SOT−363  
CASE 419B−02  
• 1.5 A, 20 V  
♦ R  
♦ R  
♦ R  
= 90 mW @ V = 4.5 V  
GS  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
= 100 mW @ V = 2.5 V  
GS  
MARKING DIAGRAM  
= 140 mW @ V = 1.8 V  
GS  
• Fast Switching Speed  
• Low Gate Charge (4.5 nC Typical)  
27M  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• High Power and Current Handling Capability  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
DS(ON)  
27  
M
= Specific Device Code  
= Assembly Operation Month  
Applications  
• DC/DC Converter  
• Load Switch  
PIN CONNECTIONS  
• Power Management  
1
6
5
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
Units  
2
3
V
DSS  
V
GSS  
20  
8
V
V
A
Gate−Source Voltage  
I
D
Drain Current  
Continuous  
(Note 1a)  
1.5  
Pulsed  
6
0.42  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
P
D
Power Dissipation for  
Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
0.38  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
June, 2020 − Rev. 3  
FDG327N/D  
12345678

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FDG327N 替代型号

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