5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDG316P
FDG316P PDF预览

FDG316P

更新时间： 2024-11-19 11:11:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 300K
描述
P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30 V，-1.6 A，190 mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDG316P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.95
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：438616Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SC-88 (SC-70 6 LEAD)Samacsys Released Date：2017-11-06 15:56:42
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
最大漏极电流 (ID)：1.6 A最大漏源导通电阻：0.19 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDG316P 数据手册

 浏览型号FDG316P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDG316P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDG316P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDG316P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDG316P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDG316P的Datasheet PDF文件第7页 
MOSFET– P-Channel, Logic  
Level, POWERTRENCH)  
FDG316P  
General Description  
This P−Channel Logic Level MOSFET is produced using  
ON Semiconductor’s advanced POWERTRENCH process that has  
been especially tailored to minimize on−state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
These devices are well suited for low voltage and battery powered  
applications where low in−line power loss and fast switching are  
required.  
www.onsemi.com  
S
D
D
G
D
D
Features  
SC−88/SC70−6/SOT−363  
CASE 419B−02  
• −1.6 A, −30 V  
♦ R  
♦ R  
= 0.19 W @ V = −10 V  
GS  
DS(ON)  
= 0.30 W @ V = −4.5 V  
DS(ON)  
GS  
MARKING DIAGRAM  
• Low Gate Charge (3.5 nC Typical)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• Compact Industry Standard SC70−6 Surface Mount Package  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
DS(ON)  
36M  
Applications  
36  
M
= Specific Device Code  
= Assembly Operation Month  
• DC/DC Converter  
• Load Switch  
• Power Management  
PIN CONNECTIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
1
6
5
4
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
−30  
Units  
V
DSS  
V
GSS  
V
V
A
2
3
Gate−Source Voltage  
20  
I
D
Drain Current  
Continuous  
(Note 1a)  
−1.6  
Pulsed  
−6  
0.75  
P
Power Dissipation for  
Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
0.48  
T , T  
J
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1b)  
260  
_C/W  
q
JA  
1. R  
is the sum of the junction−to−case and case−to−ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder  
q
JA  
mounting surface of the drain pins. R  
is guaranteed by design while R  
is determined by the user’s board design.  
q
q
JC  
CA  
2
a) 170°C/W when mounted on a 1 in pad of 2 oz copper.  
b) 260°C/W when mounted on a minimum pad.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
FDG316P/D  
June, 2020 − Rev. 4  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

FDG316P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDG330P ONSEMI

类似代替

 P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-12 V，-2 A，1
NTJS3151PT1G ONSEMI

功能相似

 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
FDG312P FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET

与FDG316P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDG316P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDG316PD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDG318P ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TSOP
FDG326 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDG326P TI

获取价格

 		Triple-Supply Power Management IC for Powering FPGAs and DSPs
FDG326P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDG326P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDG327N FAIRCHILD

获取价格

 		20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDG327N ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，1.5 A，90 mΩ
FDG327N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与FDG316P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证