生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SC-70 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.38 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.12 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDG316P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
FDG316P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30 V,-1.6 A,19 | |
FDG316P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 | |
FDG316PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
FDG318P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TSOP | |
FDG326 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDG326P | TI |
获取价格 |
Triple-Supply Power Management IC for Powering FPGAs and DSPs | |
FDG326P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDG326P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 | |
FDG327N | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |