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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDG315N
FDG315N PDF预览

FDG315N

更新时间： 2024-11-17 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 82K
描述
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FDG315N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.32
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDG315N 数据手册

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July 2000  
FDG315N  
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 2 A, 30 V. RDS(ON) = 0.12 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Low gate charge (2.1nC typical).  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
.
• Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package.  
Applications  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Power Management  
S
D
1
6
5
4
D
2
3
G
D
D
SC70-6  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
V
V
A
±
Gate-Source Voltage  
20  
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
2
6
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
Power Dissipation for Single Operation  
0.75  
0.48  
W
°
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
260  
C
Thermal Characteristics  
°
θ
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1b)  
C/W  
JA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDG315N  
7’’  
8mm  
3000 units  
15  
.
2000 Fairchild Semiconductor International  
FDG315N Rev. C  
12345

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FDG315N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDG327NZ FAIRCHILD

类似代替

 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
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功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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