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FDG311ND87Z

更新时间： 2024-11-18 20:07:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 190K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 6 PIN

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FDG311ND87Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDG311ND87Z 数据手册

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February 2000  
FDG311N  
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor's advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance. These devices are  
well suited for portable electronics applications.  
• 1.9 A, 20 V. RDS(ON) = 0.115 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 0.150 Ω @ VGS = 2.5 V.  
• Low gate charge (3nC typical).  
• High performance trench technology for extremely low  
Applications  
RDS(ON)  
.
• Load switch  
• Power management  
• DC/DC converter  
• Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package.  
S
D
1
6
5
4
D
2
3
G
D
D
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
VGSS  
ID  
±8  
1.9  
6
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.75  
0.48  
W
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1b)  
260  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDG311N  
7’’  
8mm  
3000 units  
.11  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDG311N Rev. D  
12345678

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