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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DFN | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| 针数： | 10 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 7 weeks |
| 风险等级： | 5.66 | 雪崩能效等级（Eas）： | 28.8 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN SOURCE | 配置： | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTMFD4902NFT1G | ONSEMI |
类似代替  |
Dual N-Channel Power MOSFET |
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| NTMFD4901NFT1G | ONSEMI |
类似代替 |
30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual Nâ |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTMFD4C20N | ONSEMI |
获取价格 |
Dual N-Channel Power MOSFET |
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| NTMFD4C20N_16 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual N-Channel Power MOSFET |
|
| NTMFD4C20NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual N-Channel Power MOSFET |
|
| NTMFD4C20NT3G | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，功率 MOSFET，30V |
|
| NTMFD4C50NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
POWER, FET |
|
| NTMFD4C820NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| NTMFD4C85N | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel SO8FL |
|
| NTMFD4C85NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel SO8FL |
|
| NTMFD4C85NT3G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel SO8FL |
|
| NTMFD4C86N | ONSEMI |
获取价格 |
Dual N-Channel SO8FL |
|
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