Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTMFD4901NFT1G

NTMFD4901NFT1G

更新时间： 2024-01-24 19:53:43

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管高压
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12页	174K
描述
30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual NâChannel SO8FL

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NTMFD4901NFT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DFN	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	7 weeks
风险等级：	1.48	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	28.8 mJ	外壳连接：	DRAIN SOURCE
配置：	SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23.4 A	最大漏极电流 (ID)：	13.5 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTMFD4901NFT1G 数据手册

NTMFD4901NF

Dual N-Channel Power

MOSFET with Integrated

Schottky

30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual

N−Channel SO8FL

http://onsemi.com

DS(ON)

MAX

I MAX

(BR)DSS

Features

6.5 mW @ 10 V

10 mW @ 4.5 V

2.35 mW @ 10 V

3.5 mW @ 4.5 V

Q1 Top FET

30 V

• Co−Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space

• Low Side MOSFET with Integrated Schottky

• Minimized Parasitic Inductances

18 A

30 A

Q2 Bottom

FET

• Optimized Devices to Reduce Power Losses

30 V

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

(2, 3, 4, 9)

Compliant

Applications

• DC−DC Converters

• System Voltage Rails

• Point of Load

(1) G1

S1/D2 (10)

(8) G2

S2 (5, 6, 7)

PIN CONNECTIONS

D1 4

5 S2

6 S2

7 S2

8 G2

D1 3

D1 2

G1 1

S1/D2

(Bottom View)

MARKING

DIAGRAM

4901NF

AYWZZ

DFN8

CASE 506BX

4901NF = Specific Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Lot Traceability

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 5 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2012

Publication Order Number:

May, 2012 − Rev. 3

NTMFD4901NF/D

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTMFD4902NFT3G	ONSEMI	类似代替	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4902NFT1G	ONSEMI	类似代替	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4901NFT3G	ONSEMI	功能相似	Dual N-Channel Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTMFD4901NFT3G	ONSEMI	获取价格	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4902NF	ONSEMI	获取价格	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4902NFT1G	ONSEMI	获取价格	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4902NFT3G	ONSEMI	获取价格	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4C20N	ONSEMI	获取价格	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4C20N_16	ONSEMI	获取价格	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4C20NT1G	ONSEMI	获取价格	Dual N-Channel Power MOSFET
NTMFD4C20NT3G	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，功率 MOSFET，30V
NTMFD4C50NT1G	ONSEMI	获取价格	POWER, FET
NTMFD4C820NT1G	ONSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor

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