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NTMFD4C820NT1G

更新时间： 2024-11-24 21:12:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 183K
描述
Power Field-Effect Transistor

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NTMFD4C820NT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：16 mJ
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：9.1 A最大漏源导通电阻：0.0108 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：125 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：55 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMFD4C820NT1G 数据手册

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NTMFD4C820N  
Dual N-Channel Power  
MOSFET  
30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual  
N−Channel SO8FL  
www.onsemi.com  
Features  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• Co−Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space  
• Minimized Parasitic Inductances  
7.3 mW @ 10 V  
10.8 mW @ 4.5 V  
3.4 mW @ 10 V  
5.2 mW @ 4.5 V  
Q1 Top FET  
30 V  
18 A  
27 A  
• Optimized Devices to Reduce Power Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Q2 Bottom  
FET  
Compliant  
30 V  
Applications  
D1  
(2, 3, 4, 9)  
• DC−DC Converters  
• System Voltage Rails  
• Point of Load  
(1) G1  
S1/D2 (10)  
(8) G2  
S2 (5, 6, 7)  
PIN CONNECTIONS  
D1 4  
5 S2  
6 S2  
7 S2  
8 G2  
D1 3  
D1 2  
G1 1  
9
D1  
10  
S1/D2  
(Bottom View)  
MARKING  
DIAGRAM  
1
DFN8  
4C20N  
CASE 506BX  
AYWZZ  
1
4C20N = Specific Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2019  
1
Publication Order Number:  
June, 2019 − Rev. 0  
NTMFD4C820N/D  
1234567...12

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与NTMFD4C820NT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMFD4C85N ONSEMI

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 		Dual N-Channel SO8FL
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