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NTMFD4C86NT1G

更新时间： 2024-11-21 01:20:55
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 133K
描述
Dual N-Channel SO8FL

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NTMFD4C86NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：8.56
Base Number Matches：1

NTMFD4C86NT1G 数据手册

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NTMFD4C86N  
PowerPhase, Dual  
N-Channel SO8FL  
30 V, High Side 20 A / Low Side 32 A  
Features  
• Co−Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space  
• Minimized Parasitic Inductances  
www.onsemi.com  
• Optimized Devices to Reduce Power Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
5.4 mW @ 10 V  
8.1 mW @ 4.5 V  
2.6 mW @ 10 V  
3.4 mW @ 4.5 V  
Q1 Top FET  
30 V  
20 A  
32 A  
Applications  
Q2 Bottom  
FET  
• DC−DC Converters  
• System Voltage Rails  
• Point of Load  
30 V  
D1  
(3, 4, 9)  
(1) G1  
(2) S1  
SW (5, 6, 7)  
(8) G2  
S2 (10)  
PIN CONNECTIONS  
Figure 1. Typical Application Circuit  
D1 4  
D1 3  
5 SW  
6 SW  
100  
9
D1  
10  
S2  
95  
90  
85  
S1 2  
G1 1  
7 SW  
8 G2  
(Bottom View)  
MARKING  
DIAGRAM  
80  
V
V
V
= 12 V  
IN  
1
DFN8  
CASE 506CR  
= 1.2 V  
OUT  
4C86N  
AYWZZ  
= 5 V  
GS  
75  
70  
F
SW  
= 300 kHz  
1
T = 25°C  
A
0
5
10  
15  
20  
25  
4C86N = Specific Device Code  
LOAD CURRENT (A)  
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Figure 2. Typical Efficiency Performance  
POWERPHASEGEVB Evaluation Board  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 10 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
July, 2015 − Rev. 1  
NTMFD4C86N/D  
1234567...12

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NTMFD4C86NT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMFD4C86NT3G ONSEMI

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