5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTMFD4C87NT1G
NTMFD4C87NT1G PDF预览

NTMFD4C87NT1G

更新时间： 2024-01-07 21:55:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 124K
描述
Power MOSFET 30V 20A High Side 26A Low Side 5.4mOhm Dual N-Chaneel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P PowerPhase FET, 1500-REEL

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTMFD4C87NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.82最大漏极电流 (Abs) (ID)：26.6 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.51 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

NTMFD4C87NT1G 数据手册

 浏览型号NTMFD4C87NT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTMFD4C87NT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTMFD4C87NT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTMFD4C87NT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTMFD4C87NT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTMFD4C87NT1G的Datasheet PDF文件第7页 
NTMFD4C87N  
PowerPhase, Dual  
N-Channel SO8FL  
30 V, High Side 20 A / Low Side 26 A  
Features  
• Co−Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space  
• Minimized Parasitic Inductances  
www.onsemi.com  
• Optimized Devices to Reduce Power Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
5.4 mW @ 10 V  
8.1 mW @ 4.5 V  
3.1 mW @ 10 V  
4.3 mW @ 4.5 V  
Q1 Top FET  
30 V  
20 A  
26 A  
Applications  
Q2 Bottom  
FET  
• DC−DC Converters  
• System Voltage Rails  
• Point of Load  
30 V  
D1  
(3, 4, 9)  
(1) G1  
(2) S1  
SW (5, 6, 7)  
(8) G2  
S2 (10)  
PIN CONNECTIONS  
Figure 1. Typical Application Circuit  
D1 4  
D1 3  
5 SW  
6 SW  
100  
9
D1  
10  
S2  
95  
90  
85  
S1 2  
G1 1  
7 SW  
8 G2  
(Bottom View)  
MARKING  
DIAGRAM  
80  
V
V
V
= 12 V  
IN  
1
= 1.2 V  
OUT  
4C87N  
AYWZZ  
DFN8  
CASE 506CR  
= 5 V  
GS  
75  
70  
F
SW  
= 300 kHz  
1
T = 25°C  
A
0
5
10  
15  
20  
25  
4C87N = Specific Device Code  
LOAD CURRENT (A)  
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Figure 2. Typical Efficiency Performance  
POWERPHASEGEVB Evaluation Board  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 10 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
September, 2016 − Rev. 2  
NTMFD4C87N/D  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与NTMFD4C87NT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMFD4C87NT3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30V 20A High Side 26A Low Side 5.4mOhm Dual N-Chaneel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P
NTMFD4C88NT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30V 20A High Side 24A Low Side 5.4mOhm Dual N-Channel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P
NTMFD4C88NT3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30V 20A High Side 24A Low Side 5.4mOhm Dual N-Channel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P
NTMFD5877NLT1G ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，双 N 沟道，逻辑电平，60 V，17 A，39 mΩ
NTMFD5C446NLT1G ONSEMI

获取价格

 		Dual N-Channel Power MOSFET 40 V, 145A, 2.65m
NTMFD5C462NLT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40V, 84A, 4.7 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
NTMFD5C466NLT1G ONSEMI

获取价格

 		Dual N-Channel Power MOSFET 40V, 52A, 7.4mΩ
NTMFD5C466NT1G ONSEMI

获取价格

 		Dual N-Channel Power MOSFET 40 V, 46 A, 8.1 m
NTMFD5C470NLT1G ONSEMI

获取价格

 		Dual N-Channel Power MOSFET 40V, 36A, 11.5mΩ
NTMFD5C650NLT1G ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，功率 MOSFET，60V，111A，4.2mΩ

与NTMFD4C87NT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证