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NTMFD4901NFT3G

更新时间： 2024-01-05 01:40:01

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	113K
描述
Dual N-Channel Power MOSFET

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NTMFD4901NFT3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	7 weeks	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ	外壳连接：	DRAIN SOURCE
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23.4 A	最大漏极电流 (ID)：	13.5 A
最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTMFD4901NFT3G 数据手册

NTMFD4901NF

Dual N-Channel Power

MOSFET with Integrated

Schottky

30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual

N−Channel SO8FL

http://onsemi.com

MAX

I MAX

(BR)DSS

DS(ON)

Features

6.5 mW @ 10 V

10 mW @ 4.5 V

2.35 mW @ 10 V

3.5 mW @ 4.5 V

Q1 Top FET

30 V

• Co−Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space

• Low Side MOSFET with Integrated Schottky

• Minimized Parasitic Inductances

• Optimized Devices to Reduce Power Losses

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

18 A

30 A

Q2 Bottom

FET

30 V

(2, 3, 4, 9)

Applications

• DC−DC Converters

• System Voltage Rails

• Point of Load

(1) G1

S1/D2 (10)

(8) G2

S2 (5, 6, 7)

PIN CONNECTIONS

D1 4

5 S2

6 S2

7 S2

8 G2

D1 3

D1 2

G1 1

S1/D2

(Bottom View)

MARKING

DIAGRAM

DFN8

CASE 506BX

4901NF

AYWZZ

4901NF = Specific Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Lot Traceability

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 5 of this data sheet.

Publication Order Number:

June, 2014 − Rev. 6

NTMFD4901NF/D

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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