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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 2 weeks |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 16 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN SOURCE | 配置： | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0108 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.88 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 55 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTMFD4C820NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| NTMFD4C85N | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel SO8FL |
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| NTMFD4C85NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel SO8FL |
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| NTMFD4C85NT3G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel SO8FL |
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| NTMFD4C86N | ONSEMI |
获取价格 |
Dual N-Channel SO8FL |
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| NTMFD4C86NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual N-Channel SO8FL |
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| NTMFD4C86NT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30V 20A High Side 32A Low Side 5.6mOhm Dual N-Channel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P |
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| NTMFD4C87NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30V 20A High Side 26A Low Side 5.4mOhm Dual N-Chaneel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P |
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| NTMFD4C87NT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30V 20A High Side 26A Low Side 5.4mOhm Dual N-Chaneel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P |
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| NTMFD4C88NT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30V 20A High Side 24A Low Side 5.4mOhm Dual N-Channel SO-8FL, DFN8 5x6, 1.27P |
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