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MMIS70H900QTH

更新时间: 2024-11-06 01:18:35
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美格纳 - MGCHIP /
页数 文件大小 规格书
9页 1129K
描述
700V 1.4(ohm) N-channel MOSFET

MMIS70H900QTH 数据手册

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MMIS70H900Q Datasheet  
MMIS70H900Q  
700V 1.4N-channel MOSFET  
Description  
MMIS70H900Q is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that  
can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using  
optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to  
designers as well as low switching loss.  
Key Parameters  
Package & Internal Circuit  
D
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
VTH,typ  
Value  
Unit  
V
750  
1.4  
3
V
G
ID  
3.2  
8
A
G
Qg,typ  
nC  
D
S
S
Features  
Low Power Loss by High Speed Switching and Low On-Resistance  
100% Avalanche Tested  
Green Package Pb Free Plating, Halogen Free  
Applications  
PFC Power Supply Stages  
Switching Applications  
Adapter  
Motor Control  
DC DC Converters  
Ordering Information  
Order Code  
Marking  
Temp. Range  
Package  
Packing  
RoHS Status  
MMIS70H900QTH  
70H900Q  
-55 ~ 150  
TO-251-VS  
Tube  
Halogen Free  
1
Nov. 2015 Revision 1.1  
MagnaChip Semiconductor Ltd.  

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