型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMIX1F210N30P3 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1F230N20T | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1F40N110P | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1F420N10T | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1F44N100Q3 | IXYS |
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1000V Q3-Class HiPerFET⢠Power MOSFET In SM | |
MMIX1F44N100Q3 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1F520N075T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 75V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
MMIX1F520N075T2 | LITTELFUSE |
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SMPD封装重仅8g,相比传统的电源模块更轻(通常要轻50%),因此可打造重量更轻的电源系 | |
MMIX1G120N120A3V1 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, | |
MMIX1G120N120A3V1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |