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MMIX1F160N30T

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		PC 光电二极管电源电路
页数	文件大小	规格书
8页	257K
描述
SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。除了更小、更轻

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MMIX1F160N30T 数据手册

Preliminary Technical Information

GigaMOS^TMTrench^TM

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 102A

R_DS(on) 20m

MMIX1F160N30T

t_rr

 200ns

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Isolated Tab

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

300

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

102

440

I_A

T_C= 25C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AS

P_D

T_C= 25C

570

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Substrate

- Excellent Thermal Transfer

- Increased Temperature and Power

Cycling Capability

- High Isolation Voltage (2500V~)

Very High Current Handling

Capability



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

F_C

50..200 / 11..45

N/lb



Weight



Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Very Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

3.0

Typ.

Max.



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



5.0

Applications

200 nA

50 A

I_DSS



DC-DC Converters and Off-Line UPS

Note 2, T_J= 125C



Primary-Side Switch

High Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 80A, Note 1

20 m

DS100437A(9/14)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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