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MMDTC114EE-AH

更新时间： 2024-09-09 14:55:19

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数字三极管

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MMDTC114EE-AH 数据手册

MMDTC114EE-AH

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

Emitter

(Common)

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CEO

V_I

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

- 10 to + 40

100

Collector Current

I_C

℃

Power Dissipation

P_tot

T_j

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

h_FE

I_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 5 V, I_C= 5 mA

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 50 V

500

0.88

0.3

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 5 V

I_EBO

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

V_CE(sat)

V_I(on)

V_I(off)

f_T

Input on Voltage

at V_CE= 0.3 V, I_C= 10 mA

Input off Voltage

0.5

at V_CE= 5 V, I_C= 100 µA

Transition frequency

250

MHz

at V_CE= 10 V, -I_E= 5 mA, f = 100 MHz

Input Resistance

Resistance Ratio

R₁

KΩ

R₂/ R₁

0.8

1.2

Dated：23/10/2017 Rev：01

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