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MMDTC143THP

更新时间： 2024-11-16 14:54:03

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数字三极管

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MMDTC143THP 数据手册

MMDTC143THP

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

Emitter

Base

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

100

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

250

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Junction Temperature

R_θJA

T_j

500

℃

150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

℃

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

h_FE

Min.

100

Typ.

Max.

600

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 5 V, I_C= 1 mA

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 50 V

I_CBO

500

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 4 V

I_EBO

500

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 50 µA

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 1 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 50 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 5 mA, I_B= 0.25 mA

V_CE(sat)

R₁

3.29

0.3

6.11

Input Resistance

4.7

250

KΩ

Transition Frequency

at V_O= 10 V, I_O= 5 mA, f = 100 MHz

f_T

MHz

1 / 3

Dated: 23/01/2021 Rev: 01

12 3

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