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MMDTC237DE

更新时间： 2024-11-16 14:54:27

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数字三极管

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MMDTC237DE 数据手册

MMDTC237DE

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built-in bias resistors: R1 = 2.2KΩ, R2 = 47KΩ

TR2

TR1

• Simplifies circuit design

• Reduces component count

• Reduces pick and place costs

TR1: 1.Emitter 2.Base 6.Collector

TR2: 3.Collector 4.Emitter 5.Base

SOT-563 Plastic package

Applications

• Low current peripheral driver

• Control of IC inputs

• Replaces general-purpose transistors in digital applications

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

Parameter

Collector Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

100

Collector Current

Peak Collector Current, Pulsed

Total Power Dissipation

I_CM

100

P_tot

300

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 65 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 23/03/2023 Rev: 02

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