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MMDTC436FEW

更新时间： 2024-11-16 14:54:51

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数字三极管

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MMDTC436FEW 数据手册

MMDTC436FEW

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built-In Biasing Resistors, R1 = 4.7 KΩ, R2 = 47KΩ

TR1

TR2

TR1: 1. Base 2. Emitter 5. Collector

TR2: 2. Emitter 3. Base 4.Collector

SOT-353 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_IN

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

-5 to + 30

100

Collector Current

I_C

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation

I_CM

100

P_tot

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 12/05/2023 Rev: 02

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