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MMDTC242E

更新时间： 2024-11-16 14:52:55

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数字三极管

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MMDTC242E 数据手册

MMDTC242E

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• Built-in biasing resistors

• Simplify circuit design

Base

(Input)

Emitter

(Common)

Resistance Values

R1(KΩ)

R2(KΩ)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CEO

V_I

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

- 10 to + 40

Collector Current

I_C

Peak Collector Current

Power Dissipation

I_CM

100

P_tot

T_j

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 06/12/2021 Rev: 01

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