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MMDTC114YE

更新时间： 2024-09-15 14:52:55

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数字三极管

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MMDTC114YE 数据手册

MMDTC114YE

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

(Input)

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Resistance Values

R1(KΩ)

R2(KΩ)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_IN

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

- 6 to + 40

100

Collector Current

I_C

Power Dissipation

P_tot

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 24/05/2023 Rev: 05

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