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MMDTC141FD

更新时间： 2024-09-15 14:55:43

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数字三极管

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MMDTC141FD 数据手册

MMDTC141FD

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors

Features

• Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10 KΩ

TR1

TR2

Applications

• Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit

1. Base 1 2. Emitter 1,2 3. Base 2

4. Collector 2 5. NC 6. Collector 1

SOT-26 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

-10 to + 40

Collector Current

℃

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation

I_CM

100

P_tot

300

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

416

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 21/03/2023 Rev: 02

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