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MMDTC123JE

更新时间： 2024-09-15 14:50:31

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数字三极管

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MMDTC123JE 数据手册

MMDTC123JE

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

(Input)

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CEO

V_I

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

- 5 to + 12

100

Collector Current

I_C

℃

Power Dissipation

P_tot

T_j

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 04/05/2022 Rev: 03

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