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MMDTC114TE

更新时间： 2024-09-15 14:53:59

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数字三极管

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MMDTC114TE 数据手册

MMDTC114TE

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

100

℃

Power Dissipation

P_tot

T_j

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 23/06/2022 Rev: 02

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