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MMDTC124EE

更新时间： 2024-09-15 14:54:59

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数字三极管

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MMDTC124EE 数据手册

MMDTC124EE

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

Emitter

(Common)

Resistance Values

R1(KΩ)

R2(KΩ)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

- 10 to + 40

℃

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation

I_CM

100

P_D

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 23/06/2021 Rev: 02

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