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MMDTC140FEW

更新时间： 2024-09-15 14:54:39

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数字三极管

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MMDTC140FEW 数据手册

MMDTC140FEW

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built-In Biasing Resistor, R1 = 10 KΩ

TR1

TR2

Applications

• Inverted circuit

TR1: 1. Base 2. Emitter 5. Collector

TR2: 2. Emitter 3. Base 4.Collector

SOT-353 Plastic package

• Interface circuit

• Driver circuit

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Power Dissipation

P_tot

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 09/05/2023 Rev: 02

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