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MMDTC141

更新时间： 2024-09-15 14:53:31

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数字三极管

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MMDTC141 数据手册

MMDTC141

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

for high current switching, interface circuit and driver

circuit application.

Collector

(Output)

Feature

Base

(Input)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing

process

SOT-23 Plastic Package

• High output current

Emitter

(Common)

Resistance Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMDTC141

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

- 10 to + 40

100

Collector Current

℃

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

200

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated : 11/06/2021 Rev: 04

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