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MMDTC124EE-AH

更新时间: 2024-11-16 14:53:59
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先科 - SWST /
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描述
数字三极管

MMDTC124EE-AH 数据手册

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MMDTC124EE-AH  
NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor  
Collector  
(Output)  
Features  
• AEC-Q101 Qualified  
R1  
Base  
(Input)  
• With built-in bias resistors  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
R2  
Emitter  
(Common)  
Resistance Values  
R1(KΩ)  
22  
R2(KΩ)  
22  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25)  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
50  
Unit  
V
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
- 10 to + 40  
30  
V
mA  
mA  
mW  
Peak Collector Current, Pulsed  
Power Dissipation  
ICM  
100  
PD  
150  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
833  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
/W  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 4  
Dated: 23/06/2021 TTC6 Rev: 01  

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