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MMDTC131

更新时间： 2024-09-15 14:55:31

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数字三极管

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MMDTC131 数据手册

MMDTC131

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Feature

KΩ,

KΩ

R2 =1

• With built-in bias resistors: R1=1

• Simplify circuit design

Base

(Input)

• Reduce a quantity of parts and manufacturing

process

1.Base 2.Emitter 3.Collector

• High output current

Emitter

(Common)

SOT-23 Plastic Package

Applications

• High current switching

• Interface circuit

• Driver circuit application

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-10 to +10

100

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

250

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

500

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated : 29/09/2021 Rev: 01

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