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MMDTC114EHP

更新时间： 2024-09-09 14:54:31

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数字三极管

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MMDTC114EHP 数据手册

MMDTC114EHP

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

(R₁= 10 KΩ, R₂= 10 KΩ)

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

V_CEO

V_IN

I_C

- 10 to + 40

100

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

T_j

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 27/06/2023 Rev: 04

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