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MMDTC115TE

更新时间： 2024-09-15 14:55:39

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MMDTC115TE 数据手册

MMDTC115TE

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

Base

(Input)

• Built-In Biasing Resistor, R₁only

Emitter

(Common)

Resistor Value

R₁(KΩ)

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current

100

Power Dissipation

P_tot

T_j

150

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 29/05/2023 Rev: 02

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