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MMDTC115EE

更新时间： 2024-09-15 14:55:23

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数字三极管

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MMDTC115EE 数据手册

MMDTC115EE

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• Built- In Biasing Resistors, R₁= R₂= 100 KΩ

Base

(Input)

Application

• Inverter

• Interface

• Driver

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Output Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

- 10 to + 40

100

Input Voltage

Output Current

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 17/09/2021 Rev: 02

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