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MMDTC123

更新时间： 2024-09-15 14:55:43

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数字三极管

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MMDTC123 数据手册

MMDTC123

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Applications

Collector

• Inverter, Interface, Driver

Base

Resistor Values

R1 (KΩ)

Emitter

SOT-23 Plastic Package

2.2

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

100

℃

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

200

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

100

Typ.

Max.

600

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 5 V, I_C= 1 mA

h_FE

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 50 µA

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 1 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 50 µA

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 50 V

0.5

0.3

µA

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 4 V

I_EBO

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C/ I_B= 5 mA / 0.25 mA

V_CE(sat)

Transition Frequency

at V_CB= 10 V, -I_E= 5 mA, f = 100 MHz

f_T

250

MHz

KΩ

Input Resistor

1.54

2.86

1 / 3

Dated : 18/12/2019 Rev: 01

12 3

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