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MMDTC114W-AH

更新时间： 2024-09-15 14:53:55

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数字三极管

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MMDTC114W-AH 数据手册

MMDTC114W-AH

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

Base

(Input)

• AEC-Q101 Qualified

• Built-in biasing resistors, R1=10 KΩ, R2 = 47 KΩ

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

- 6 to + 40

100

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

P_tot

200

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 27/02/2023 Rev: 02

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