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MMDTC115W

更新时间： 2024-11-16 14:54:55

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数字三极管

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MMDTC115W 数据手册

MMDTC115W

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Base

(Input)

Emitter

(Common)

Resistance Values

R1 (KΩ)

100

R2 (KΩ)

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_IN

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

- 10 to + 40

100

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

200

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 24/07/2023 Rev: 03

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