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MMDTC114W

更新时间： 2024-09-14 10:51:55

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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1页	130K
描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

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MMDTC114W 数据手册

MMDTC114W

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Base

(Input)

Emitter

(Common)

Resistance Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMDTC114W

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

- 6 to + 40

100

Total Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

h_FE

I_CEO

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 5 V, I_C= 5 mA

Collector Base Cutoff Current

at V_CE= 50 V

500

0.88

0.3

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 5 V

I_EBO

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 5 mA, I_B= 0.25 mA

V_CEsat

V_I(off)

V_I(on)

Input Off Voltage

at V_CE= 5 V, I_C= 100 µA

Input On Voltage

1.4

at V_CE= 0.3 V, I_C= 1 mA

Transition Frequency

at V_CE= 10 V, -I_E= 5 mA, f = 100 MHz

f_T

250

MHz

KΩ

Input Resistance

Resistance Ratio

R2/R1

3.7

4.7

5.7

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 24/06/2006

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