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MMDTC114YHP

更新时间： 2024-09-15 14:54:59

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数字三极管

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MMDTC114YHP 数据手册

MMDTC114YHP

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• With built-in bias resistors (R₁₌10 KΩ,R₂= 47 KΩ)

• Simplify circuit design

Base

• Reduce a quantity of parts and

(Input)

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

V_I

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Base Emitter Voltage

Input Voltage

- 6 to + 40

100

Collector Current

I_C

Peak Collector Current

Power Dissipation

I_CM

100

P_tot

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Dated: 24/09/2021 Rev: 05

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